英特尔10nm工艺晶体管密度为何比三星、台积电7nm还高?
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发布时间：2024-07-22 13:31
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时间：2024-08-15 04:10
尽管英特尔的10nm工艺在晶体管密度上优于三星和台积电的7nm工艺，但其工艺节点的推进似乎不如预期。许多人对英特尔与三星、台积电的比较产生误解，认为工艺数字越小就代表技术越先进。实际上，半导体技术的复杂性已经超越了简单的线宽衡量，三星和台积电通过优化命名策略（如将16nm优化为12nm等）赢得了营销上的优势。英特尔则更倾向于实话实说，他们的10nm工艺晶体管密度达到了100MTr/mm²，是14nm的两倍多，这在技术指标上是领先的。
在与竞争对手的比较中，即使在14nm工艺上，英特尔也展现出明显优势，晶体管密度远超三星和台积电。然而，到了10nm节点，尽管英特尔的密度看似落后于三星的10nm和GF、台积电的7nm，但Semiwiki的数据显示，其密度实际上与这些工艺相当。英特尔面临的困难在于，对手的命名策略使其在命名上显得“落后”，而投资者和分析师们关注的焦点更多在于工艺的生产问题，而非技术细节。
英特尔的“难产”问题，可能源于其技术上的独特性和复杂性，而非简单的时间差距。他们可能需要更多的时间去孕育和生产出下一代的哪吒工艺，而这个过程可能让外界看起来更为艰难。
