射频武器是如何破坏电子设备的?

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射频武器还能破坏各种武器装备的电子设备,使其丧失作战效能。试验表明,当微波强度比较低,为0.01~1微瓦/平方厘米时,可以干扰工作在相应频段的雷达和通信设备使之无法正常工作。增加到0.01~1瓦/平方厘米时,可使通信、雷达、导航等系统的微波电子元器件失效或烧毁。增加到10~100瓦/平方厘米时,其瞬变电磁场可使各种金属表面产生感生电流,通过天线、导线、电缆等各种入口进入目标内部电路。轻者使电路功能混乱,出现误码,抹掉记忆信息等现象,重者则烧毁各类电子元器件。这种效应又称为非核电磁脉冲效应。微波强度再增加,达到1000~10000瓦/平方厘米时,则会在极短的时间内加热破坏目标。因此射频武器可攻击的目标非常之多,从军事卫星、洲际导弹、巡航导弹、飞机、坦克、军舰,到雷达、计算机、通信器材,只要处于强微波的覆盖区内,都将可能受到攻击而丧失作战效能。

自70年代以来,苏、美都在研制超高功率的微波发射管,并研究射频武器的杀伤机理与实现的可能性。1980年,美陆军已用实验型反射三极管在微波波段产生3千兆瓦的脉冲功率,这比普通雷达产生的功率大2~4个数量级(即100~1000倍)。并打算研制发射功率为千兆瓦级的回族管和磁控管。美国还设想利用计算机操纵相控阵雷达,产生高频大功率的电磁脉冲。苏联开展射频武器的研究工作早于美国。1979年,苏联的实验型反射三极管在微波波段产生了千兆瓦级的脉冲功率,效率高达30%。80年代末期,已研制成几个不同工作频率的“塞林科夫”器件,它能产生相当大的脉冲功率,可用作射频武器的功率源。其中,一种实验型毫米波(指30~300千兆赫的微波波段)发射管,已可产生100兆瓦的脉冲功率。这种毫米波发射管更接近于实用射频武器的要求,其再配以增益天线,就可能成为射频武器。

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