三极管的开关作用
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三极管的开关作用？使用单片机(8051)驱动NPN管时,基极外接一个上接电阻,大小为1K,目的是增大基极电流,让三极管开速处于饱和状态,发射极直接接地.这时基极电流大小为:(5-0.7)/1K=4.3mA,当基极电流为4.3mA,是否可以让8550,9013等中小功率的处于饱和状态,这时CE间的电压根据资料显示为0.3V左右,根据你所需要的Ic的大小,计算Rc.Rc的大小是否这样计算:(Vc-0.3)/Ic=Rc
NPN型的三极管在基极输入一个1(高电平,如5V)，三极管导通；PNP则在基极输入0(低电平，如0V),才能让三极管导通。对于PNP型，电流从发射极进入，然后分为两路分别从基极和集电极输出，且满足关系：Ic=βIb。在饱和时也是如此，但是Ic
以ATC52为例，在输出为0时引脚能吸收的电流为为1.6mA，如果要驱动9012，那么计算方法如下：9012基极通过电阻接到引脚上，当9012用5V供电时，使用的电阻大小为：（5-0.7）/1.6=2.7K。事实上这个电阻可以小一些，保证不烧坏单片机的情况下取2.5K，这时基极电流为1.7mA。注意这时要知道9012的β值，这是评估三极管是否饱和的关键,9012的β=300，因此集电极电流最大可以为500mA，如果不考虑三极管的饱和压降，对应的电阻为5/0.5=10Ω。所以让9012饱和的条件就很明显了。只要接在集电极的电阻大于10Ω就可以让三极管饱和。
PNP导通：Ue>Ub>Uc,也就是如B极送低电平,它导通。反之,如B极送是高电平，则截止。
已知条件：输入Vi=5V，电源电压Vcc=5V，三极管直流放大系数beta=10.
集-射饱和电压Vcesat=0.2V时,集电极电流Ic=10mA,则集电极电阻Rc=(Vcc-Vcesat)/Ic =(5-0.2)/10 =480 欧。
则Ib=Ic/beta=10/10=1 mA,基极限流电阻Rb=(Vi-Vbe)/=(5-0.6)/1=4.4K,取为4.2K。
以2.5V为逻辑电平的阈值来计算，则Rb==（Vi-Vbe）/Ib=（2.5-0.6）/1=1.9K，取为1.8K，或2K
NPN管,e串一电阻与5V电源相连,e与b之间有限流电阻,让三极管工作在截止区
1、使Vbe
2、让b 极的电位低于或小于e 极的电位,才截止。只要Ve>Vb.不截止都不行
工作原理
三极管除了有对电流放大作用外,还有开关作用(即通、断作用),当基极加上正偏压时,NPN型三极管即导通处于饱和状态及灯会亮,反之,三极管就不导通,灯不亮。
实验方法
按接线图接好电路,注意三极管e、b、c三个管脚及发光二极管的极性不要接错。R1是基极的偏置电阻,当用W接到高电平时都可向基极加上偏置电流使三极管导通,(即c、e极间相当于短路),发光二极管D导通发光。当W接到电位低,三极管不导通(即c、e间相当于断路)发光二极管D不发光。
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动画形象解读三极管的工作原理
9.6万 6'55"
三极管基极电阻在不同电路中的作用，举例分析，这次可以轻松听懂
11万 5'54"
三极管、场管、可控硅外观都一样，就是分不清？几分钟讲清楚
1.1万 8'28"
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三极管 [sān jí guǎn]
三极管，全称应为半导体三极管，也称双极型晶体管、晶体三极管，是一种控制电流的半导体器件。其作用是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号，也用作无触点开关。
三极管是半导体基本元器件之一，具有电流放大作用，是电子电路的核心元件。三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结，两个PN结把整块半导体分成三部分，中间部分是基区，两侧部分是发射区和集电区，排列方式有PNP和NPN两种。
中文名
三极管
外文名
Bipolar Junction Transistor
别名
晶体三极管
发明时间
1947年
材料
半导体
快速
导航
发展历史
工作原理
产品分类
产品参数
判断类型
结构类型
产品作用
工作状态
产品判别
放大电路
产品符号
产品命名
选型替换
测判口诀
基本释义
三极管[1] （也称晶体管）在中文含义里面只是对三个引脚的放大器件的统称，我们常说的三极管，可能是 如图所示的几种器件。
可以看到，虽然都叫三极管，其实在英文里面的说法是千差万别的，三极管这个词汇其实也是中文特有的一个象形意义上的的词汇。
“Triode”（电子三极管）这个是英汉词典里面 “三极管” 的唯一英文翻译，与电子三极管初次出现有关，是真正意义上的三极管这个词最初所指的物品。其余的在中文里称作三极管的器件，实际翻译时不可以翻译成Triode。
电子三极管 Triode （俗称电子管的一种）
双极型晶体管 BJT （Bipolar Junction Transistor）
J型场效应管 Junction gate FET（Field Effect Transistor）
金属氧化物半导体场效应晶体管 MOS FET ( Metal Oxide Semi-Conctor Field Effect Transistor)英文全称
V型槽场效应管 VMOS （Vertical Metal Oxide Semiconctor ）
注：这三者看上去都是场效应管，其实金属氧化物半导体场效应晶体管 、V型槽沟道场效应管 是 单极（Unipolar）结构的，是和 双极（Bipolar）是对应的，所以也可以统称为单极晶体管（Unipolar Junction Transistor）。
其中J型场效应管是非绝缘型场效应管，MOS FET 和VMOS都是绝缘型的场效应管。
VMOS是在 MOS的基础上改进的一种大电流，高放大倍数（跨道）新型功率晶体管，区别就是使用了V型槽，使MOS管的放大系数和工作电流大幅提升，但是同时也大幅增加了MOS的输入电容，是MOS管的一种大功率改进型产品，但是结构上已经与传统的MOS发生了巨大的差异。VMOS只有增强型的而没有MOS所特有的耗尽型的MOS管。
发展历史
1947年12月23日，美国新泽西州墨累山的贝尔实验室里，3位科学家——巴丁博士、布莱顿博士和肖克莱博士在紧张而又有条不紊地做着实验。他们在导体电路中正在进行用半导体晶体把声音信号放大的实验。3位科学家惊奇地发现，在他们发明的器件中通过的一部分微量电流，竟然可以控制另一部分流过的大得多的电流，因而产生了放大效应。这个器件，就是在科技史上具有划时代意义的成果——晶体管。因它是在圣诞节前夕发明的，而且对人们未来的生活发生如此巨大的影响，所以被称为“献给世界的圣诞节礼物”。这3位科学家因此共同荣获了1956年诺贝尔物理学奖。
[2] 新研究发现，在晶体管电子流出端的衬底外，沉积一层对应材料，能形成一个半导体致冷P-N结构，因为N材料的电子能级低，P材料的电子能级高，当电子流过时，需要从衬底吸入热量，这就为晶体管核心散热提供一个很好的途径。因为带走的热量会与电流的大小成正比例，业内也称形象地把这个称为“电子血液”散热技术
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三极管我们有时候也称为晶体管、晶体三极管等，它是一种电流控制元器件，即用基极电流去控制集电极电流。能够把微弱信号放大成较大电信号， 有PNP和NPN两种。它有截止状态、放大状态、饱和导通三种工作状态，我们经常用到的就是饱和导通状态，处于饱和状态时候，三极管失去了电流放大作用，集电极C与发射极E之间的电压很小，Vce两极电压相当于为零，也就是说短路状态，这种状态经常与截止状态配合一起用作开关作用，特别是在小信号小电流场合。
三极管在开关方面的作用，以SS8050三极管为例，这种一种普遍用于功率放大电路的三极管，与SS8550 互补。8050是一种低电压、大电流、小信号的NPN型硅三极管，最大集电极电流为0.5 A，而SS8050最大集电极电流为1.5 A。

三极管在作开关作用时候，在设计电路至少要考虑三个参数：集电极-发射极电压Vceo、集电极连续电流Ic、集电极耗散功率Pc等

1）集电极-发射极电压Vceo
这是集电极与发射极电压之间的最大耐压值，设计电路时候要考虑不能超过此耐压值，至少要大两倍于输入电压值，这样电路才更可靠。

2）集电极连续电流Ic
这是三极管集电极最大电流，三极管处于放大状态时候，这个电流随着基极电流不断增大而增大，当增大到一定程度时候不再变化，此时接近于饱和状态，作开关用时候，这个电流不能超过规定值。
3）集电极耗散功率Pc
Pc指的是集电极与发射极上消耗的功率，Pc=Ic*Vce，电流流过三极管把热量转换为耗散功率，表现为三极管发热、内部温升上升，超过这个功率值三极管将会损坏。
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理论原理
晶体三极管（以下简称三极管）按材料分有两种：锗管和硅管。而每一种又有NPN和PNP两种结构形式，但使用最多的是硅NPN和锗PNP两种三极管，（其中，N是负极的意思（代表英文中Negative），N型半导体在高纯度硅中加入磷取代一些硅原子，在电压刺激下产生自由电子导电，而P是正极的意思（Positive）是加入硼取代硅，产生大量空穴利于导电）。两者除了电源极性不同外，其工作原理都是相同的，下面仅介绍NPN硅管的电流放大原理。
对于NPN管，它是由2块N型半导体中间夹着一块P型半导体所组成，发射区与基区之间形成的PN结称为发射结,而集电区与基区形成的PN结称为集电结,三条引线分别称为发射极e （Emitter）、基极b (Base)和集电极c (Collector)。如右图所示
当b点电位高于e点电位零点几伏时，发射结处于正偏状态，而C点电位高于b点电位几伏时，集电结处于反偏状态，集电极电源Ec要高于基极电源Eb。
在制造三极管时，有意识地使发射区的多数载流子浓度大于基区的，同时基区做得很薄，而且，要严格控制杂质含量，这样，一旦接通电源后，由于发射结正偏，发射区的多数载流子（电子）及基区的多数载流子（空穴）很容易地越过发射结互相向对方扩散，但因前者的浓度基大于后者，所以通过发射结的电流基本上是电子流，这股电子流称为发射极电子流。
由于基区很薄,加上集电结的反偏，注入基区的电子大部分越过集电结进入集电区而形成集电极电流Ic，只剩下很少（1-10%）的电子在基区的空穴进行复合，被复合掉的基区空穴由基极电源Eb重新补给，从而形成了基极电流Ibo.根据电流连续性原理得，
