专利名称：一种高质量单晶碳化硅及其制备方法专利类型：发明专利
发明人：李霞,高超,梁晓亮,宁秀秀,孙元行,宗艳民申请号：CN201811303459.3申请日：20181102公开号：CN109321981A公开日：20190212
摘要：本发明提出了一种高质量单晶碳化硅及其制备方法。所述制备方法包括以下步骤：第一单晶碳化硅长晶阶段和包括硅气氛补充步骤的第二单晶碳化硅长晶阶段，其中，所述第二单晶碳化硅长晶阶段为：当单晶碳化硅生长腔内生长气氛中的硅碳比小于1.1时，启动硅气氛补充步骤。在晶体生长阶段中后期，补充的硅气氛会通过连通管道进入生长腔内，使得生长腔内的硅碳比达到平衡，减少甚至消除碳包裹体的形成。每个坩埚的温度都由单独的加热元件控制，提高了温度控制的灵活性。
申请人：山东天岳先进材料科技有限公司
地址：250100 山东省济南市高新区新宇路西侧世纪财富中心AB座1106-6-01
国籍：CN
代理机构：济南千慧专利事务所(普通合伙企业)
代理人：吴绍群
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