（12）发明专利申请
（21）申请号 CN201210572829.X （22）申请日 2012.12.25
（71）申请人 上海华虹宏力半导体制造有限公司
地址 201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号
（10）申请公布号 CN103904023A
（43）申请公布日 2014.07.02
（72）发明人 郭振华;虞颖
（74）专利代理机构 上海浦一知识产权代理有限公司
代理人 刘昌荣
（51）Int.CI
权利要求说明书 说明书 幅图
（54）发明名称
厚铝刻蚀工艺中光刻胶的去除方法
（57）摘要
本发明公开了一种厚铝刻蚀工艺中光刻胶
的去除方法，该方法在金属铝层刻蚀后，仅通入水汽，在水汽化环境中去除光刻胶。本发明在不改变厚铝刻蚀方法的前提下，通过优化去胶条件，减少了厚铝侧壁聚合物的堆积，从而降低了侧壁聚合物的腰带效应，确保了后续湿法刻蚀后，厚铝侧壁无胶残留；同时，还减少了气体的使用量和去胶时间。
法律状态
法律状态公告日
2014-07-02 2014-07-30 2017-06-06
公开
法律状态信息
公开
实质审查的生效
发明专利申请公布后的视为撤回
法律状态
实质审查的生效
发明专利申请公布后的视为撤回
权利要求说明书
厚铝刻蚀工艺中光刻胶的去除方法的权利要求说明书内容是....请下载后查看
说明书
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