专利名称：一种近红外探测器的制备方法专利类型：发明专利
发明人：冯叶,张玉萍,彭燕君,张陈斌,杨春雷申请号：CN202010883531.5申请日：20200828公开号：CN111969081A公开日：20201120
摘要：本发明公开了一种近红外探测器的制备方法，近红外探测器的结构自下而上依次为：衬底、底电极、吸收层、缓冲层、窗口层，吸收层材料为CuCdZnSnSe，其中0≤x≤1，缓冲层材料为ZnCdCdZnSe，其中0≤y≤1，采用真空蒸发法在吸收层上沉积ZnCdCdZnSe形成缓冲层，用Zn，Cd，Se作为源料，对衬底和源炉升温，衬底升温至120‑350℃，源炉升温至工作温度，待温度稳定后保持15min，同时蒸镀，将衬底升温至200‑300℃保持10‑30min，结束后待衬底冷却至100℃以下后取出。本发明采用了真空法制备缓冲层，相比原溶液法制备技术，减少了制备过程中了源料消耗。
申请人：深圳先进电子材料国际创新研究院
地址：518103 广东省深圳市宝安区福永街道龙王庙工业区
国籍：CN
代理机构：北京市诚辉律师事务所
代理人：范盈
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