（12）发明专利申请
（21）申请号 CN201210183524.X （22）申请日 2012.06.05
（71）申请人 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
地址 201203 上海市浦东新区张江路18号
（10）申请公布号 CN103456660A
（43）申请公布日 2013.12.18
（72）发明人 张城龙;王冬江;张海洋
（74）专利代理机构 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 屈蘅
（51）Int.CI
权利要求说明书 说明书 幅图
（54）发明名称
等离子体增强清洗装置、系统及清洗晶圆的方法
（57）摘要
本发明公开了一种等离子体增强清洗装
置、系统及清洗晶圆的方法，采用具有小于晶圆直径的等离子体增强清洗装置对晶圆进行清洗，尤其是对氟残留进行清洗，有利于热量的迅速散发，且小面积清洗能够保证清洗过的区域杂质去除干净，不需要进行湿法清洗，外围管道能够及时的将清洗的微粒和氟残留排出，大大的提高了清洗的质量，降低了边缘效应的影响，从而避免了清洗时对低K介质层的破坏，极大的降低了清
洗时的风险。
法律状态
法律状态公告日
2013-12-18 2013-12-18 2014-01-15 2014-01-15 2017-10-31
法律状态信息
公开 公开
实质审查的生效 实质审查的生效
发明专利申请公布后的驳回法律状态
公开 公开
实质审查的生效 实质审查的生效
发明专利申请公布后的驳回
权利要求说明书
等离子体增强清洗装置、系统及清洗晶圆的方法的权利要求说明书内容是....请下载后查看
说明书
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