专利名称：一种扩大阳极氧化铝模板纳米孔洞尺寸的方法专利类型：发明专利
发明人：张辉,杨盛安,罗均美,杨庆,黄健钟申请号：CN201410352620.1申请日：20140724公开号：CN104213174A公开日：20141217
摘要：本发明公开一种扩大阳极氧化铝模板纳米孔洞尺寸的方法，属于制备纳米材料技术领域。通过利用磷酸作为稳定剂，混合在极低浓度的草酸中制备出高质量的阳极氧化铝模板。该工艺包括以下步骤：（1）对高纯铝进行退火、电化学抛光；（2）将经步骤（1）处理过的铝片用单质草酸进行一次氧化；（3）用磷酸/铬酸混合液去除上述铝片经一次氧化后生成的氧化层；（4）将经步骤（3）处理过的铝片置于草酸/磷酸混合液中施以适当电压进行二次氧化，后经通孔和扩孔处理得到所述阳极氧化铝模板。该工艺能使温和条件下电压因素在扩大孔径的同时不会降低阵列有序度和孔洞规则性，拓宽了高质AAO模板制备条件的许可范围。
申请人：昆明理工大学
地址：650093 云南省昆明市五华区学府路253号
国籍：CN
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