专利名称：一种alpha相氧化镓薄膜的制备方法专利类型：发明专利
发明人：咸冯林,徐林华,杨明珠,匡文剑,郑改革,李金花,曹兆
楼,裴世鑫
申请号：CN202011070429.X申请日：20201009公开号：CN112126897A公开日：20201225
摘要：一种alpha相氧化镓薄膜的制备方法，包括如下步骤：对m面蓝宝石衬底进行清洗，吹干后放入衬底托盘；将衬底载入真空室，待真空室的真空度达到3×10‑6 Pa后，通入高纯氩气，气体流量控制在40 sccm，调节真空室真空度为1Pa；对高纯GaO陶瓷靶材进行预处理；采用磁控溅射法在衬底上沉积薄膜，衬底温度为25摄氏度，射频功率设置为40W，沉积时间为2小时；将制备好的薄膜放入管式炉中进行后退火处理，后退火温度为500‑800摄氏度，退火时间为2小时。本发明方法制备的alpha相氧化镓薄膜沉积面积大且粒径分布均匀。
申请人：南京信息工程大学
地址：210044 江苏省南京市江北新区宁六路219号
国籍：CN
代理机构：南京汇盛专利商标事务所(普通合伙)
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